SAMACO ICP蝕刻設備RIE-800iPC，具有優(yōu)良工藝再現(xiàn)性的生產(chǎn)設備它是一種使用感應耦合等離子體作為放電類型的高密度等離子體蝕刻設備。該裝置是配備真空盒式室的正式生產(chǎn)裝置，具有優(yōu)異的工藝再現(xiàn)性和穩(wěn)定性。
主要特點和優(yōu)點
新的ICP源 "HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil"。
可高效穩(wěn)定地應用高射頻功率（2千瓦以上），并實現(xiàn)良好的均勻性。
大流量排氣系統(tǒng)
排氣系統(tǒng)直接連接到反應室，可以實現(xiàn)從小流量和低壓范圍到大流量和高壓范圍的廣泛工藝窗口。
下電極升降機構(gòu)
晶片和等離子體之間的距離經(jīng)過優(yōu)化，以確保良好的平面內(nèi)均勻性。
易于維護的設計
TMP(渦輪分子泵)集成在設備中，便于更換。
應用
GaN、GaAs、InP等化合物半導體的高精度加工。
SiC、SiO?的高速加工。
蝕刻鐵電材料（PZT、BST、SBT、SBT）、電極材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他難以蝕刻的材料。
復合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。
