失效分析是在提高產品質量，技術開發、改進，產品修復及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義，是根據失效模式和現象，通過分析和驗證，模擬重現失效的現象，找出失效的原因，挖掘出失效的機理的活動。

我們為客戶提供的電靜檢測分析服務為：場發射環境掃描電子顯微鏡、鎢燈絲掃描電子顯微鏡、冷場發射掃描電子顯微鏡、透視電子顯微鏡、場發射透射電子顯微鏡。

設備名稱：場發射環境掃描電子顯微鏡

型號：Quanta 400 FEG

廠家：美國FEI

主要用途：

? 可在高真空、低真空（130Pa)、環境真空(4000Pa)下觀察導電和不導電樣品，對材料的表面和橫截面的微觀形貌、成分進行分析，廣泛應用于金屬材料、高分子材料、半導體材料、納米材料等領域；

? 配備的Apollo40 SDD能譜無需液氮制冷，可進行快速的點、線、面分布分析，獲得能譜的mapping圖譜；

? 其樣品室直徑達284 mm，對于直徑達四英寸硅片可以直接進行測試，無需對樣品進行分割處理；

? 附件MonoCL3+陰極熒光譜儀不僅可以測量材料微區在電子束激發下的發光光譜，而且可以進行成像 顯示，從而可以對樣品的禁帶寬度、雜質缺陷等進行表征，獲取更為豐富的信息；? 可以測量材料的電子束感生電流（EBIC）,從而獲得材料內部結構缺陷等信息，與陰極熒光測量互為補充。

主要配置：

? MonoCL3+陰極熒光譜儀，波長范圍160-930nm

? 電子束感生電流（EBIC）

? STEM探測器

? Apollo 40 SDD能譜儀

? 液氮冷臺，溫度范圍為-185℃- +200℃

? 液氦冷臺，溫度范圍為6K-300K

性能指標：

? 肖特基場發射電子槍

? 加速電壓：200V-30 kV

? 放大倍數：12-2,000,000

? 分辨率：

高真空:

- 0.8nm at 30kV (STEM)

- 1.2nm at 30kV (SE)

- 2.5nm at 30kV (BSE)

- 3.0nm at 1kV (SE)

低真空:

- 1.5nm at 30kV (SE)

- 2.5nm at 30kV (BSE)

- 3.0nm at 3kV (SE)

環境真空:

- 1.5nm at 30kV (SE)

? 樣品室：284mm，5軸馬達臺

? EDS分辨率:優于136 eV，可分析包括B5以上的所有元素