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廣電計量檢測集團股份有限公司

激光共聚焦顯微鏡 IRLC

參考價面議
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱上海西努光學科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號
  • 所  在  地上海
  • 廠商性質其他
  • 更新時間2024/2/17 11:19:21
  • 訪問次數214
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上海西努光學科技有限公司,以下簡稱西努光學。西努光學成立于2003年,始終致力于“以光學為核心,為用戶提供檢測解決方案”為方針,推動智能檢測裝備的轉型升級,將顯微光學成像以及圖像算法應用于檢測技術的科技創新公司。 公司專注服務于工業領域客戶,通過顯微光學成像、圖像算法及實驗方案應用技術和產品幫助工業企業實現數字化、智能化檢測發展。公司主要為用戶提供檢測技術方案及檢測裝備。產品功能涵蓋尺寸及缺陷檢測、智能制造、實驗室理化解決方案等工業領域多個環節。 經過十余年的深耕與積累,公司累計服務2000多家客戶,積累了大量的行業經驗,并確保了前沿的顯微光學與檢測實際場景的深度融合。公司主要客戶群體涵蓋了微電子行業、汽車零件行業、智能裝備等工業領域。 西努光學以科技創新為公司發展的原動力,以顯微光學成像、圖像算法為核心技術,緊密圍繞企業的檢測需求,通過持續科技創新,為用戶提供*的工業檢測設備及應用方案。西努光學 誠信為您服務 專業為您服務基本價值觀:1、西努光學秉持“以光學為核心,為客戶提供解決方案”的經營方針,致力于光學檢測與應用水平的提升。2、西努光學以誠信、專業、服務為基本價值觀和追求,以實現客戶-西努、供應商-西努光學、合作伙伴-西努、員工-西努雙贏為目標。3、西努光學認為員工是西努寶貴的財富,是構成西努價值和競爭力的核心;西努光學將根據自身條件不遺余力地為員工職業發展、事業發展和家庭幸福做出*大努力。4、公平、公正、坦誠是西努人事制度的價值基礎;友愛互助、團隊協作是西努特別重視的品質;勤勉、敬業、精益求精是西努特別強調的職業精神。5、誠信守約是西努基本行為準則。西努堅決反對和抵制一切欺詐、不守信諾的行為;無論這種行為基于何種理由。6、可持續發展、效益穩定增長、效率穩步提升是西努戰略制定的基本準則和依據。7、技術和服務是西努能夠成為光學解決方案提供商的關鍵,西努光學確保技術提升、客戶滿意度提升方面的投入能夠隨利潤的增長而增長。
非破壞性方式在晶片或器件內進行成像WDI設計并制造了自動紅外激光共聚焦顯微鏡(IRLC)
激光共聚焦顯微鏡 IRLC 產品信息

非破壞性方式在晶片或器件內進行成像


WDI設計并制造了自動紅外激光共聚焦顯微鏡 (IRLC)。

IRLC可以對硅晶片的表面之下和內部進行檢查, 使其內部結構以亞微米分辨率呈現。



激光共聚焦顯微鏡多層檢測


由近紅外激光和掃描共聚焦組合而成的IRLC有著諸多優勢。首先便是具備了對薄晶片的多層高分辨率圖像的采集能力;同時,IRLC具備更深的樣品穿透能力、更高的分辨率和更快的圖像采集速度;


近紅外優化光路


系統包含了全套Olympus近紅外長工作距離物鏡。這組物鏡專為硅晶圓的內部結構檢測而設計,采用優化的近紅外光學系統,并配備專用的校正環以適應不同后面的硅片或玻璃表面。


一鍵雙視野


IRLC包含一組可見光彩色成像系統和一組近紅外共聚焦系統。這種搭配可對樣品表面和底層(*深達800μm)同時成像。

由于采用了ATF6/0AA/ZAA技術(即實時快速自動聚焦技術),IRLC實現了真正意義上的實時聚焦-不管觀察方式和樣品表面狀況如何變化,視野內持續聚焦狀態。


簡潔的軟件界面


功能完善、操作簡單,直觀的軟件界面設計旨在提高工作效率,簡化檢測流程。基本操控功能包括對照明、放大倍率、XYZ控制以及對焦補償的參數調整。 載物臺移動可通過軟件操控、手柄操控、或者簡單地點擊實時畫面來完成。


高 級功能


線性XY “pointto point” 和 “pointto multipoint” 測量及高 級圖像采集選項可實現均幀、AveragedImage、Z軸序列采集、以及在兩點間圖像序列采集。



自動檢測


集成了全電動控制和自動聚焦的IRLC,配合全自動軟件可實現全自動檢測流程,并可在同程內對多個樣品進行檢測。


CIS(CMOS成像芯片)


很多CIS模塊已經在像素上方加裝了保護面板和彩色濾光片,給檢測帶來很多困難。使用IRLC即可輕松看到表面之下的結構特征。

5X BF (Front)

5X IRLC (Front)

20X IRLC (Front)

50X IRLC (Front)

100X IRLC (Front)

 


高摻雜半導體


從正面穿透金屬基板觀察是不可能實現的;使用IRLC從背面穿透300μm高摻雜硅可清晰觀察到該區域下的內部結構。

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20XIRLC (Back)

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低摻雜半導體


使用IRLC從背面穿透800μm低摻雜硅,刻蝕圖案清晰可見。

        

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MEMS器件 


僅使用明場觀察,表面細節清晰可見;使用IRLC,表面之下的MEMs結構清晰可見。

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5X IRLC (Front)

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