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自動Mapping面掃功能
Mapping面掃臺允許使用受控的網格模式來探索整個樣品表面。Omega/Theta XRD可以很容易地在轉盤頂部容納額外的XY定位平臺。樣品表面可以根據用戶定義的網格進行掃描。由于樣品上X射線光斑的大小，小的網格間距約為1毫米。
繪圖階段可以與Omega掃描結合起來，以獲得晶體方向圖，或與搖擺曲線測量結合起來，以獲得表面的扭曲圖。可提供用于顯示和分析的軟件包。
晶體的Mapping面掃功能是診斷晶體生長過程中和制造過程中出現的質量問題的一個寶貴工具
即使在單晶中，晶體取向也可以在表面上表現出微小的變化，這是由晶格缺陷引起的內部應變造成的。有序生長的薄膜也可以有一個有趣的面內取向分布。
繪制一個表面需要大量的測量。在這里，歐米茄掃描方法可以提供其速度方面的優勢。圖中顯示的是在一個（Si，Ge）固溶體晶片上測量的取向圖。較大的方向差是0.03°。同心圓是按照晶體的生長環進行的。
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