產品介紹
SiC提供了輻射硬度、近乎的可見失明、低暗電流、高速和低噪聲。這些特性使SiC成為用于可見光盲半導體的材料紫外線探測器。按照標準，我們的SiC探測器可以在高達170°C的溫度下運行。可提供350°C版本。溫度系數也很低，＜0.1%/K。由于低噪聲（fA范圍內的暗電流），非常低可以可靠地測量紫外線輻照度。光電二極管有七種不同的有源芯片面積，從0.06平方毫米起高達36平方毫米標準版本為寬帶UVA-UVB-UVC。四種過濾版本的靈敏度范圍更窄。全部的光電二極管有一個密封的金屬外殼（TO型），直徑為5.5毫米（TO18）或9.2毫米（TO5）另一種選擇是2引腳接頭（1個隔離，1個接地）或3引腳接頭（2個隔離，一個接地用于200nm以下的真空UV測量的SG03系列或用于增強UVA靈敏度范圍的6H系列，SMD封裝的光電二極管和具有圓形有源的光電二極管用于更均勻的視場。
性能特點
- 紫外寬帶（UVA+UVB+UVC）
- 0.50 mm 2檢測器區域
- 扁平TO18 密封金屬外殼，1個隔離引腳和1個外殼引腳
- 10 µW/cm 2輻照在280 nm（峰值響應率）下產生約 10 μW/cm 2 的電流。8納安
- 具有PTB的SiC芯片報告了高輻射硬度
技術參數
- 工作溫度：-55+170°C
- 儲存溫度：-55+170°C
- 焊接溫度（3s）：260°C
- 反向電壓：20V
- 溫度系數：＜0.1%/K
- 短路（峰值10µW/cm2）：8.0nA
- 電容：125pF
- 暗電流（1V反向偏置）：1.7fA
- 有效面積：0.50mm2
- 響應范圍（S=0.1*Smax）：221-358nm
- max光譜響應波長：280nm
- 產地：德國
產品參數
